- ...
- Главная
- Электронные компоненты
- Полупроводники
- MOSFET транзистор
MOSFET транзистор SI2312CDS-T1-GE3 (полевой ключ, power MOSFET) для силовых схем, инверторов и импульсных БП
-
Рейтинг:
- Модель:k01739
- Артикул:k01739
- Доступно:Есть в наличии999
Цена:
11.25 грн
Выгода
Есть в наличии
MOSFET транзистор SI2312CDS-T1-GE3, VISHAY, N-канал, 20V 6A 2,1W, SOT23
Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована и носит ознакомительный, рекламный характер. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническую документацию (Datasheet) на сайте производителя.
| Артикул | 307575 |
| Максимально допустимое напряжение затвор-утечка (Ugs max), в | 8 |
| Максимальный импульсный ток стока (Idm), а | 20 |
| Максимальный ток Сток-утечка при 100°с (Id(100°С)), а | 5,1 |
| Максимальный ток Сток-утечка при 25°С (Id), а | 6 |
| Напряжение пробития Сток-утечка (Ubrdss), в | 20 |
| Полный заряд затвора, нКл | 12 |
| Рассеиваемая мощность при 25°C (Pd), Вт | 2,1 |
| Сопротивление Сток-утечка при 1,8 V (Rdson), Ом | 0,0414 |
| Сопротивление Сток-утечка при 2,5 V (Rdson), Ом | 0,0356 |
| Сопротивление Сток-утечка при 4,5 V (Rdson), Ом | 0,0318 |
| Тип канала | N |
| Тип монтирования | SMD |
Отзывов пока нет.













