MOSFET транзистор SI2309CDS-T1-GE3 (полевой ключ, power MOSFET) для силовых схем, инверторов и импульсных БП

Рейтинг:

^{0 отзывов}
Модель:
e3700514
Артикул:
e3700514
Доступно:
Есть в наличии999

Цена: 42.00 грн

Есть в наличии

Количество:

Купить в 1 клик

MOSFET транзистор SI2309CDS-T1-GE3, VISHAY, P-канал, 60V 1,6A 1,7W, SOT23

Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована и носит ознакомительный, рекламный характер. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническую документацию (Datasheet) на сайте производителя.

Артикул	175952
Максимально допустимое напряжение затвор-утечка (Ugs max), в	20
Максимальный импульсный ток стока (Idm), а	8
Максимальный ток Сток-утечка при 25°С (Id), а	1,6
Мощность, которая рассеивается при 100°C (Pd(100°C)), Вт	1,1
Напряжение пробития Сток-утечка (Ubrdss), в	60
Полный заряд затвора, нКл	2,7
Рассеиваемая мощность при 25°C (Pd), Вт	1,7
Сопротивление Сток-утечка при 10V (Rdson), Ом	0,345
Сопротивление Сток-утечка при 4,5 V (Rdson), Ом	0,45
Тип канала	P
Тип монтирования	SMD