- ...
- Главная
- Электронные компоненты
- Полупроводники
- MOSFET транзистор
MOSFET транзистор SI2309CDS-T1-GE3 (полевой ключ, power MOSFET) для силовых схем, инверторов и импульсных БП
-
Рейтинг:
- Модель:k01712
- Артикул:k01712
- Доступно:Есть в наличии999
Цена:
42.00 грн
Выгода
Есть в наличии
MOSFET транзистор SI2309CDS-T1-GE3, VISHAY, P-канал, 60V 1,6A 1,7W, SOT23
Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована и носит ознакомительный, рекламный характер. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническую документацию (Datasheet) на сайте производителя.
| Артикул | 175952 |
| Максимально допустимое напряжение затвор-утечка (Ugs max), в | 20 |
| Максимальный импульсный ток стока (Idm), а | 8 |
| Максимальный ток Сток-утечка при 25°С (Id), а | 1,6 |
| Мощность, которая рассеивается при 100°C (Pd(100°C)), Вт | 1,1 |
| Напряжение пробития Сток-утечка (Ubrdss), в | 60 |
| Полный заряд затвора, нКл | 2,7 |
| Рассеиваемая мощность при 25°C (Pd), Вт | 1,7 |
| Сопротивление Сток-утечка при 10V (Rdson), Ом | 0,345 |
| Сопротивление Сток-утечка при 4,5 V (Rdson), Ом | 0,45 |
| Тип канала | P |
| Тип монтирования | SMD |
Отзывов пока нет.












