MOSFET транзистор SI2306BDS-T1-E3 (полевой ключ, power MOSFET) для силовых схем, инверторов и импульсных БП

Рейтинг:

^{0 отзывов}
Модель:
k01587
Артикул:
k01587
Доступно:
Есть в наличии999

Цена: 17.25 грн

Есть в наличии

Количество:

Купить в 1 клик

MOSFET транзистор SI2306BDS-T1-E3, VISHAY, N-канал, 30V 3,16A 0,75W, SOT23

Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована и носит ознакомительный, рекламный характер. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническую документацию (Datasheet) на сайте производителя.

Артикул	292881
Максимально допустимое напряжение затвор-утечка (Ugs max), в	20
Максимальный ток Сток-утечка при 100°с (Id(100°С)), а	2,7
Максимальный ток Сток-утечка при 25°С (Id), а	3,16
Маркировка на корпусе	L6
Напряжение пробития Сток-утечка (Ubrdss), в	30
Полный заряд затвора, нКл	3
Рассеиваемая мощность при 25°C (Pd), Вт	0,75
Тип канала	N
Тип монтирования	SMD