MOSFET транзистор IPD050N03LGATMA1 (полевой ключ) для силовых схем, преобразователей и импульсных БП

Рейтинг:

^{0 отзывов}
Модель:
k02912
Артикул:
k02912
Доступно:
Есть в наличии999

Цена: 34.50 грн

Есть в наличии

Количество:

Купить в 1 клик

MOSFET транзистор IPD050N03LGATMA1, INFINEON TECHNOLOGIES, N-канал, 30V 50A 68W, DPAK

Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована и носит ознакомительный, рекламный характер. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническую документацию (Datasheet) на сайте производителя.

Артикул	331661
Максимально допустимое напряжение затвор-утечка (Ugs max), в	20
Максимальный импульсный ток стока (Idm), а	350
Максимальный ток Сток-утечка при 100°с (Id(100°С)), а	50
Максимальный ток Сток-утечка при 25°С (Id), а	50
Напряжение пробития Сток-утечка (Ubrdss), в	30
Полный заряд затвора, нКл	15
Рассеиваемая мощность при 25°C (Pd), Вт	68
Сопротивление Сток-утечка при 10V (Rdson), Ом	0,005
Тип канала	N
Тип монтирования	SMD