- ...
- Главная
- Электронные компоненты
- IGBT транзистор
IGBT транзистор IKW75N60T (силовой ключ, insulated gate) для инверторов и силовой электроники
-
Рейтинг:
- Модель:e3600129
- Артикул:e3600129
- Доступно:Есть в наличии999
Цена:
180.00 грн
Выгода
Есть в наличии
| Артикул | 150426 |
| Время нарастания (ton), нс | 33 |
| Время обновления диода (trr), нс | 182 |
| Время спада (tof), NS | 330 |
| Максимальная мощность (Рмакс), Вт | 428 |
| Максимально допустимый ток коллектора (Ic), а | 80 |
| Максимально допустимый ток коллектора при 100°C (Ic(100°C)), а | 75 |
| Максимальный импульсный ток диода (IFm), а | 225 |
| Максимальный импульсный ток коллектора (Icm), а | 225 |
| Максимальный прямой ток диода (IF), а | 80 |
| Маркировка | K75T60 |
| Наличие диода | есть |
| Напряжение коллектор эмиттер (UCES), В | 600 |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер(UCE (on)), В | 1,5 |
| Полный заряд затвора, нКл | 470 |
Отзывов пока нет.








![Биполярный транзистор 2sc5200-O[Q] (BJT, малосигнальный или силовой) для электронных схем и ремонта Биполярный транзистор 2sc5200-O[Q] (BJT, малосигнальный или силовой) для электронных схем и ремонта](https://svandi.com.ua/image/cache/catalog/imrad/230018/230018_001-228x228.jpg.pagespeed.ce.Dz6WQv5EEP.jpg)




