MOSFET транзистор SQ2310ES-T1-GE3 (полевой ключ, power MOSFET) для силовых схем, инверторов и импульсных БП

Рейтинг:

^{0 отзывов}
Модель:
k01686
Артикул:
k01686
Доступно:
Есть в наличии999

Цена: 32 грн

Есть в наличии

Количество:

Купить в 1 клик

MOSFET транзистор SQ2310ES-T1-GE3, VISHAY, N-канал, 20V 6A 2W, SOT23

Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована и носит ознакомительный, рекламный характер. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническую документацию (Datasheet) на сайте производителя.

Артикул	217090
Максимальний імпульсний струм стоку (Idm), А	24
Максимальний струм стік-витік при 100°С (Id(100°С)), А	3,5
Максимальний струм стік-витік при 25°С (Id), А	6
Максимально допустима напруга затвор-витік (Ugs max), В	8
Напруга пробиття стік-витік (Ubrdss), В	20
Опір стік-витік при 1,8V (Rdson), Ом	0,034
Опір стік-витік при 2,5V (Rdson), Ом	0,027
Опір стік-витік при 4,5V (Rdson), Ом	0,024
Повний заряд затвору, нКл	4,5
Потужність, що розсіюється при 25°C (Pd), Вт	2
Тип каналу	N
Тип монтування	SMD