MOSFET транзистор SI2301CDS-T1-GE3 (польовий ключ, power MOSFET) для силових схем, інверторів та імпульсних БЖ

Рейтинг:

^{0 відгуків}
Модель:
k01559
Артикул:
k01559
Доступно:
Є в наявності999

Вартість: 5 грн

Є в наявності

Кількість:

MOSFET транзистор SI2301CDS-T1-GE3, VISHAY, P-канал, 20V 3,1A 1,6W, SOT23

Увага! Точність зазначеного на сайті опису товару не може бути гарантована і носить ознайомчий, рекламний характер. Для отримання більш повної і точної інформації про товар дивіться технічну документацію (Datasheet) на сайті виробника.

Артикул	211204
Максимальний імпульсний струм стоку (Idm), А	10
Максимальний струм стік-витік при 100°С (Id(100°С)), А	2,5
Максимальний струм стік-витік при 25°С (Id), А	3,1
Максимально допустима напруга затвор-витік (Ugs max), В	8
Напруга пробиття стік-витік (Ubrdss), В	20
Опір стік-витік при 2,5V (Rdson), Ом	0,11
Опір стік-витік при 4,5V (Rdson), Ом	0,09
Повний заряд затвору, нКл	5,5
Потужність, що розсіюється при 25°C (Pd), Вт	1,6
Потужність, яка розсіюється при 100°C (Pd(100°C)), Вт	1
Тип каналу	P
Тип монтування	SMD