MOSFET транзистор IPD050N03LGATMA1 (польовий ключ) для силових схем, перетворювачів та імпульсних БЖ

Рейтинг:

^{0 відгуків}
Модель:
k02912
Артикул:
k02912
Доступно:
Є в наявності999

Вартість: 46 грн

Є в наявності

Кількість:

MOSFET транзистор IPD050N03LGATMA1, INFINEON TECHNOLOGIES, N-канал, 30V 50A 68W, DPAK

Увага! Точність зазначеного на сайті опису товару не може бути гарантована і носить ознайомчий, рекламний характер. Для отримання більш повної і точної інформації про товар дивіться технічну документацію (Datasheet) на сайті виробника.

Артикул	331661
Максимальний імпульсний струм стоку (Idm), А	350
Максимальний струм стік-витік при 100°С (Id(100°С)), А	50
Максимальний струм стік-витік при 25°С (Id), А	50
Максимально допустима напруга затвор-витік (Ugs max), В	20
Напруга пробиття стік-витік (Ubrdss), В	30
Опір стік-витік при 10V (Rdson), Ом	0,005
Повний заряд затвору, нКл	15
Потужність, що розсіюється при 25°C (Pd), Вт	68
Тип каналу	N
Тип монтування	SMD